Pat
J-GLOBAL ID:200903004370738700

フォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998037998
Publication number (International publication number):1999218908
Application date: Feb. 04, 1998
Publication date: Aug. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】 電離放射線(主として電子線)による描画において、感度、解像性、パターン形状に優れた実用的な、フォトマスク製造用レジストを提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル、フェノール化合物、および溶剤を含有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物であって、(1)アルカリ可溶性フェノール樹脂が、m-クレゾール10〜45重量%とp-クレゾール90〜55重量%との混合クレゾールを用いて製造されたものであり、(2)キノンジアジドスルホン酸エステルが、ポリフェノール化合物のフェノール性水酸基の75%以上が1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化されたものであるフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物
Claim (excerpt):
アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル、フェノール化合物、および溶剤を含有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物であって、(1)アルカリ可溶性フェノール樹脂が、m-クレゾール10〜45重量%とp-クレゾール90〜55重量%との混合クレゾールを用いて製造されたものであり、(2)キノンジアジドスルホン酸エステルが、ポリフェノール化合物のフェノール性水酸基の75%以上が1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化されたものであることを特徴とするフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物。
IPC (2):
G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R

Return to Previous Page