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J-GLOBAL ID：200903004376038255

ITO焼結体

Inventor： 隈 公貴 ,  吉村 了治 ,  山本 和明 ,  小川 展弘 ,  毛利 隆
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241396
Publication number (International publication number)：1994064959
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：

【要約】【構成】 焼結密度が90〜100%、焼結粒径が1〜20μmで、(In0.6Sn0.4)2O3の量が10%以下であるITO焼結体およびこれを用いたスパッタリングターゲット。【効果】 スパッタレートが早く、ノジュールの発生、割れを防止でき、更に低温基板にきわめて低抵抗で透明な導電膜が得られる。

Claim (excerpt)：

焼結密度が90%以上100%以下、焼結粒径が1μm以上20μm以下、かつ(In0.6Sn0.4)2O3の量が10%以下であるITO焼結体。

IPC (2)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34