Pat

J-GLOBAL ID：200903004379292063

窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法

Inventor： ロベルト・ドヴィリニスキ ,  ロマン・ドラジニスキ ,  イエジ・ガルチニスキ ,  レシェック・シェシュプトフスキ ,  神原 康雄
Applicant, Patent owner： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ,  日亜化学工業株式会社
Agent (3)： 石井 久夫 ,  竹内 三喜夫 ,  田村 啓
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2002011136
Publication number (International publication number)：WO2003036771
Application date： Oct. 28, 2002
Publication date： May. 01, 2003
Summary：

高出力タイプの共振器端面を備えた窒化物半導体レーザ素子を提供するもので、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる活性層を含む共振器を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子の対向する共振器端面の少なくとも出射端面に、前記Inを含む窒化物半導体からなる活性層に損傷を与えない低温で形成される単結晶AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる端面膜を形成する。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる活性層を含む共振器を有する窒化物半導体レーザ素子 において、前記レーザ素子の対向する共振器端面の少なくとも出射端面に、活性層よりバンドギャップエネルギーの大きい単結晶AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる端面膜を前記活性層に損傷を与えない低温で形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S5/028 ,  H01S5/323

FI (2)：

H01S5/028 ,  H01S5/323 610