Pat

J-GLOBAL ID：200903004388054043

光メモリ素子及びその記録方法

Inventor： 宮田 昭雄 ,  大木 博
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011588
Publication number (International publication number)：1993204102
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 紫外線等の光照射の後あるいは同時に各々異なる加熱温度で処理を施して最大吸収波長が各々異なる複数の会合体を形成する有機フォトクロミック材料を用いることにより、書き換え可能で高密度光記録が可能で、かつ記録寿命の長い安定な光メモリ素子を得る。【構成】 分子構造式【化2】で表されるスピロピラン化合物をLB法によりガラス基板上に成膜して記録層として作製した光メモリ素子において、紫外線照射の後あるいは同時に各々異なった加熱温度で処理することにより、最大吸収波長が各々異なるJ会合体及びH会合体を記録層に形成する。記録は、形成したそれぞれの会合体の最大吸収波長と同一の波長の光照射で会合体を崩壊させることにより行い、多重記録が可能である。

Claim (excerpt)：

紫外線などの光照射の後あるいは同時に各々異なる加熱温度で加熱処理を施すことにより最大吸収波長が各々異なる複数の会合体を形成する有機フォトクロミック材料から構成されることを特徴とする光メモリ素子。

IPC (6)：

G03C 5/56 511 ,  C09K 3/00 ,  G03C 1/685 ,  G11B 7/00 ,  G11B 7/24 516 ,  C09K 9/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-296986
  
• 特開昭64-004416