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J-GLOBAL ID：200903004396641110

低温焼成セラミック多層配線基板への回路形成方法

Inventor： 中井 恭一 ,  江崎 徹 ,  浅海 順治 ,  菅野 修
Applicant, Patent owner： 日本セメント株式会社
Agent (1)： 奥山 尚男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992142185
Publication number (International publication number)：1993315754
Application date： May. 07, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 簡易な方法で、低温焼成セラミック多層配線基板上に、Cu導体を高密度に回路形成される方法を提供すること。【構成】 Ag系内部導体を有する低温焼成セラミック多層配線基板の表面に、Cuペーストをスクリーン印刷し、乾燥し、非酸化雰囲気において600°C〜750°Cで焼成したのち、フォトリソグラフィ技術を用いてCu導体回路のパターニングを行う低温焼成セラミック多層配線基板の回路形成方法。

Claim (excerpt)：

Ag系内部導体を有する低温焼成セラミック多層配線基板の表面にCu導体回路を形成する方法において、該表面にCuペーストをスクリーン印刷し、乾燥し、非酸化雰囲気において600°C〜750°Cで焼成したのち、フォトリソグラフィ技術を用いてCu導体回路のパターニングを行なうことを特徴とする低温焼成セラミック多層配線基板の回路形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-265796
  
• 特開昭61-147597
  
• 特開平1-236698
  
• 特開平1-262695