Pat

J-GLOBAL ID：200903004404259980

半導体装置

Inventor： 英 善明 ,  岩渕 正人 ,  木村 昌治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030260
Publication number (International publication number)：1997223647
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 形状、欠陥観察による不良解析時に不良箇所が半導体チップのどの領域であるか識別し、不良個所を短時間で効率よく特定する。【解決手段】 半導体チップ1の各々の領域2の所定の位置には半導体チップ1のどの領域2の位置かを認識する領域識別子3が配線層に形成されている。領域識別子3は4桁の数字からなり、下2桁が半導体チップ1の縦方向に分割された領域2を表し、上2桁が半導体チップ1の横方向に分割された領域2を表している。半導体チップ1の原点Gに位置する領域2では、半導体チップ1の縦方向および横方向に1つ目に分割された位置なので領域識別子3の4桁の数字が’0101’と表される。そして、赤外線顕微鏡により領域識別子3を読み込み観察している領域を認識し、不良個所の位置を特定する。

Claim (excerpt)：

半導体チップを複数の領域に分割するとともに、それぞれの領域を識別する領域識別手段を設けたことを特徴とする半導体装置。