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J-GLOBAL ID：200903004404926021

GaAlAs発光素子の製造方法

Inventor： 池田 均 ,  鈴木 金吾
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992296723
Publication number (International publication number)：1994151959
Application date： Nov. 06, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 LEDペレットの発光領域から発光した光の外部取り出し効率を大きくした高発光出力のGaAlAs発光素子の製造方法を提供する。【構成】 GaAlAs発光素子用ペレットの側面に対して加工歪のない平坦な表面を形成する処理を施した後、該側面を微細な凹凸を有する面となす処理を行う。

Claim (excerpt)：

pn接合を有するGaAlAs発光素子用ペレットの側面に対して加工歪みのない平坦な表面を形成する処理を施した後、該側面を微細な凹凸を有する面となす処理を行うことを特徴とするGaAlAs発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-175776
  
• 特開平3-066181
  
• 特開昭50-155184