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J-GLOBAL ID：200903004410490200

半導体装置の製造方法

Inventor： 窪田 通孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288862
Publication number (International publication number)：1993129218
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板上の導電膜パターン以外に不純物イオンがドープされることを防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板1上に導電膜パターン3aを形成する工程、前記導電膜パターン3a上を含む全面に絶縁膜(5,7)を被着形成する工程、次に前記絶縁膜上に平坦化用材料8を積層形成した後、エッチバックにより前記導電膜を露出する工程、及び前記導電膜に不純物をドープする工程を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に導電膜パターンを形成する工程、前記導電膜パターン上を含む全面に絶縁膜を被着形成する工程、次に、前記絶縁膜上に平坦化用材料を積層形成した後、エッチバックにより前記導電膜を露出する工程、及び前記導電膜に不純物をドープする工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/88 H