強誘電体メモリチップの電気的導通構造、およびこれを有する半導体装置、ならびにこの半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277465
Publication number (International publication number)：1999121509
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】強誘電体メモリチップの特性を損なうことなく、この強誘電体メモリチップと所望の接続対象物との電気的導通を図れるようにする。【解決手段】強誘電体メモリチップ3と所望の接続対象物2,4との電気的導通構造において、上記強誘電体メモリチップ3の電極パッド30,31に金製バンプ30a,30bを形成し、この金製バンプ30a,30bと上記接続対象物2,4の端子20,40と金製部材5,7を介して接続した。また半導体装置1において、このような電気的導通構造を有する採用する。好ましくは、上記金製部材5,7は、金線ワイヤ5または圧縮変形可能な金製のスタッドバンプ7であり、上記強誘電体メモリチップ3の金製バンプ形成面3aと、上記接続対象物の端子形成面4aとを、エポキシ系またはフェノール系などの樹脂製の接着剤6によって接合する。上記接続対象物2,4としては、強誘電体メモリチップを含む半導体チップ4、または樹脂製あるいは金属製の基板2を採用する。

Claim (excerpt)：

強誘電体メモリチップと所望の接続対象物との電気的導通構造であって、上記強誘電体メモリチップの電極パッドに金製バンプが形成されているとともに、この金製バンプが上記接続対象物の端子と金製部材を介して接続されていることを特徴とする、強誘電体メモリチップの電気的導通構造。

IPC (5)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 301 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3)：

H01L 21/60 311 Q , H01L 21/60 301 A , H01L 25/08 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭51-102566
高密度実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-120493 Applicant：ソニー株式会社

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