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J-GLOBAL ID：200903004424394433

光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法

Inventor： 菅原 保 ,  小松 ▲隆▼一 ,  高橋 正訓
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258199
Publication number (International publication number)：1998101487
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 屈折率変動が10-5/mm以下の、及び又は転位密度が103個/cm2以下の波長変換効率が比較的高く、単結晶内部に白濁が見られない光学用四ほう酸リチウム単結晶を得る。【解決手段】 下端が錐状のるつぼ10に四ほう酸リチウム融液11を貯留し、このるつぼ10下端の融液に種結晶12を下方より接触させて融液11を温度勾配のあるブリッジマン炉13内の高温部から低温部に移動させることにより、種結晶12に四ほう酸リチウム単結晶14を育成する方法である。融液11と育成された四ほう酸リチウム単結晶14との界面Aから四ほう酸リチウム単結晶側2cmまでの第1降温勾配を5〜100°C/cmにし、界面Aから四ほう酸リチウム単結晶側2cmを越える範囲の第2降温勾配を第1降温勾配より小さい温度勾配にし、炉13内のるつぼ10の移動速度を0.2〜24mm/日にして育成する。

Claim (excerpt)：

下端が錐状のるつぼ(10)に四ほう酸リチウム融液(11)を貯留し、前記るつぼ(10)下端の融液(11)に種結晶(12)を下方より接触させて前記融液(11)を温度勾配のあるブリッジマン炉(13)内の高温部から低温部に移動させることにより、前記種結晶(12)に四ほう酸リチウム単結晶(14)を育成する方法において、前記融液(11)と前記育成された四ほう酸リチウム単結晶(14)との界面(A)から前記四ほう酸リチウム単結晶側2cmまでの第1降温勾配を5〜100°C/cmにし、前記界面(A)から四ほう酸リチウム単結晶側2cmを越える範囲の第2降温勾配を前記第1降温勾配より小さい温度勾配にし、前記炉(13)内のるつぼ(10)の移動速度を0.2〜24mm/日にすることを特徴とする光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法。

IPC (3)：

C30B 29/22 ,  C30B 11/00 ,  G02F 1/35 505

FI (3)：

C30B 29/22 C ,  C30B 11/00 Z ,  G02F 1/35 505