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J-GLOBAL ID：200903004435335056

半導体発光装置

Inventor： 井上 登美男 ,  右田 幸治
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283317
Publication number (International publication number)：1999121809
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マウント部側に生じる暗部による影響を抑えて好ましい発光強度特性及び配光特性を維持できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】 リードフレームの上端のマウント部1の上に、平面形状が長方形のSiダイオード素子2及びこれより小さい平面形状であって絶縁性の基板を上面に向けてこれを光取り出し面としたLED素子3を順に重ねて搭載し、マウント部1をSiダイオード素子2の搭載面とした平坦な底板1bと、この底板1bの外周縁から外に向けて広がる向きに立ち上げた傾斜を持つ周壁1cとから構成し、マウント部1の周壁1cの上端縁の輪郭に対して底板1bをSiダイオード素子2の長手方向に偏在配置し、Siダイオード素子2と周壁1cとの間の隙間による暗部の発生を抑える。

Claim (excerpt)：

リードフレームの上端のマウント部の上に、平面形状が長方形のサブマウント素子及びこのサブマウント素子よりも小さい平面形状のLED素子を順に重ねて搭載し、LED素子は透光性の基板を上面に向けてこれを光取り出し面とするとともに下面に設けたp側及びn側の極をそれぞれサブマウント素子に導通させた半導体発光装置であって、マウント部をサブマウント素子の搭載面とした平坦な底板と、この底板の外周縁から外に向けて広がる向きに立ち上げた傾斜を持つ周壁とから構成し、マウント部の周壁の上端縁の輪郭に対して底板をサブマウント素子の長手方向に偏在配置してなる半導体発光装置。