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J-GLOBAL ID：200903004438046977

半導体装置の製造方法

Inventor： 高 辰一 ,  木村 幸治 ,  川本 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993349307
Publication number (International publication number)：1995201873
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、熱処理を抑制する必要のあるバイポーラトランジスタの製造方法において、不純物を効果的にゲッタリングできるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、トレンチアイソレーションを用いるバイポーラトランジスタの場合、トレンチ形成予定領域部分に炭素をイオン注入してゲッタリングサイト17を形成する。そして、このゲッタリングサイト17により、半導体基板の表面領域の酸素や金属不純物などをゲッタリングさせる。また、ゲッタリングの後、ゲッタリングサイト17をエッチングして、過剰な酸素や金属不純物を含んだ領域を除去する。しかる後、酸素濃度が局部的に減少された部分へ素子を形成することで、収率性が高く、安定に製造できるようになっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面上に少なくとも1つ以上の素子を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の主表面より、前記半導体基板中にゲッタリング効果をもつ不純物イオンを注入する工程と、前記不純物イオンの注入後に、熱処理を施してゲッタリングを行う工程と、前記熱処理の後、少なくとも前記不純物イオンの注入を行った領域の一部を除去する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2)：

H01L 21/265 A ,  H01L 29/72