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J-GLOBAL ID：200903004449722630

半導体装置の製造方法

Inventor： 寺坂 国博 ,  角田 弘昭 ,  森 誠一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996183339
Publication number (International publication number)：1998027795
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上に形成された酸化膜は、窒化処理を施される前に大気に晒され有機物等のガス状不純物が酸化膜表面に付着する場合があり、このガス状不純物が付着した状態で窒化されると半導体装置の特性の劣化を発生させた。【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成した後、オキシナイトライド化を行う装置内で前記酸化膜を窒化する前に少なくとも酸素を含むガスによる熱処理を行ない、酸化膜に付着した不純物を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜に窒素原子を導入する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、前記窒素原子を導入する工程の前に同一炉内で前記酸化膜が形成された前記半導体基板を酸素を含んだ雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/324 Z