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J-GLOBAL ID：200903004451059450
多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992324770
Publication number (International publication number)：1994151315
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低温で形成でき、しかもグレインサイズが大きな多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜2は、プラズマCVD法にて形成されてなる多結晶シリコン薄膜であって、前記プラズマCVD法における反応室圧力が5Torr以上であり、かつ、高周波のパワー密度が0.1W/cm2 以上であることを特徴としている。また、本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法は、プラズマCVD法による多結晶シリコン薄膜の形成法であって、前記プラズマCVD法における反応室圧力が5Torr以上とされ、かつ、高周波のパワー密度が0.1W/cm2 以上とされていことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法にて形成されてなる多結晶シリコン薄膜であって、前記プラズマCVD法における反応室圧力が5Torr以上であり、かつ、高周波のパワー密度が0.1W/cm2 以上であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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