Pat
J-GLOBAL ID:200903004456878734

半導体素子の実装構造及び給電側充電装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 恩田 博宣 (外1名) ,  恩田 博宣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999352082
Publication number (International publication number):2001168253
Application date: Dec. 10, 1999
Publication date: Jun. 22, 2001
Summary:
【要約】【課題】 回路基板上の設置面積に対する半導体素子の冷却効率を向上する。【解決手段】 給電側充電装置において電力変換回路が形成された電力用回路基板18には、回路基板18が固定された放熱用ダクト16に当接する熱伝達体23が固定されている。熱伝達体23には、電力用回路基板18に実装した複数のMOSFET21の各本体22が、シリコンシート24を介在した状態で当接されている。
Claim (excerpt):
半導体素子が実装される回路基板上に、該回路基板に隣接して設けられた放熱体に対して当接する熱伝達体を固定し、該熱伝達体には、前記回路基板に実装した前記半導体素子の本体を当接させた半導体素子の実装構造。
IPC (4):
H01L 23/40 ,  H01F 38/14 ,  H01L 23/36 ,  H02J 17/00
FI (4):
H01L 23/40 Z ,  H02J 17/00 B ,  H01F 23/00 Q ,  H01L 23/36 D
F-Term (10):
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA24 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BB35 ,  5F036BC01 ,  5F036BC23 ,  5F036BC33 ,  5F036BE01

Return to Previous Page