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J-GLOBAL ID:200903004462859911

多重チップ電界効果電子放出素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996027102
Publication number (International publication number):1996287820
Application date: Feb. 14, 1996
Publication date: Nov. 01, 1996
Summary:
【要約】【課題】 平板表示素子に使用されうるように放出電流の均一性を大幅に改善させた多重チップ電界効果電子放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ストライプ上の陰極下部にチタン接着層を形成し、その上部のタングステン陰極を放射上に食刻し、その下部のチタン接着層を選択的に食刻してタングステン自体の内部応力により跳ね上がるようにして多重マイクロチップを形成する工程であって、工程上、チップの端部のサイズを任意に調整することができ、かつ工程自体がタングステンの内部応力とBOE法の特性を用いるので再現性も優れる一方、多重チップなので出力電流をnA〜mA帯の広帯域の範囲で調整可能であり、タングステンでチップを形成することにより硬度、酸化、仕事関数などに優れるだけでなく、電気的、化学的、機械的な耐久性も優秀である。
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に形成された接着層と、前記接着層上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極の形成された基板上にホールを有するように形成された絶縁層と、前記各ホールごとの前記陰極上に多重に形成された電界放出用マイクロチップと、前記マイクロチップの上部に電界放出を可能にする開口を有するように前記絶縁層上に前記陰極と相互交叉する方向にストライプ状に形成されたゲートとを具備してなることを特徴とする多重チップ電界効果電子放出素子。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (2):
H01J 1/30 B ,  H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 電界放出カソード素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-299106   Applicant:双葉電子工業株式会社
  • 特開平4-284327
  • 3極管素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-033157   Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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Cited by examiner (4)
  • 電界放出カソード素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-299106   Applicant:双葉電子工業株式会社
  • 特開平4-284327
  • 3極管素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-033157   Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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