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J-GLOBAL ID：200903004466120066

半導体製造装置

Inventor： 藤島 正章
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323280
Publication number (International publication number)：1993160041
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置の反応室内で発生したフレークが当該反応室内の一部分のみに集中して付着することを防止すると共に、パーティクルの発生を防止した半導体製造装置を提供する。【構成】半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置20の反応室1の半導体基板入口3及び出口4の反応室側の周辺部に、丸みを設けるか、又は面取りした。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置において、半導体基板の入口及び出口の反応室側の周辺部の形状に、丸みを設けるか又は面取りしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31