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J-GLOBAL ID：200903004469578012

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
竹谷 元伸

About 竹谷 元伸


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002041171
Publication number (International publication number)：2003243772
Application date： Feb. 19, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：
【要約】【課題】 p側クラッド層の厚さを良好な光学特性を得るのに必要な値に保持しつつ、動作電圧を低減することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、p側クラッド層を活性層7側から順にアンドープまたはn型の第1の層9とp型不純物がドープされたp型の第2の層12とにより構成し、リッジ18と下地層との成長界面が第1の層9または第1の層9と第2の層12との間にアンドープまたはn型の他の層が設けられる場合には第1の層9もしくはこの他の層に含まれるようにする。第1の層9の厚さは50nm以上とする。p型の第2の層12中にはこれよりバンドギャップが大きいp型の第3の層11を電子ブロック層として挿入する。
Claim (excerpt)：
n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、上記p側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはn型の第1の層とp型不純物がドープされたp型の第2の層とからなり、かつ、上記第2の層がこの第2の層よりバンドギャップが大きい第3の層を有し、上記リッジと下地層との成長界面が上記第1の層または上記第1の層と上記第2の層との間に上記第1の層と接してアンドープまたはn型の他の層が設けられる場合には上記第1の層もしくはこの他の層に含まれることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
FI (2)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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