Pat
J-GLOBAL ID:200903004470069750

光源装置、半導体露光装置、レーザー治療装置、レーザー干渉計装置およびレーザー顕微鏡装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004089635
Publication number (International publication number):2005275095
Application date: Mar. 25, 2004
Publication date: Oct. 06, 2005
Summary:
【課題】従来の波長変換素子に代えて、強誘電体である新規な波長変換素子を用い、200nm以下、特にArFエキシマレーザーまたはF2レーザーに代わる波長193nmまたは157nmのコヒーレント光を出力する光源装置を提供する。 【解決手段】少なくとも一つのレーザー光源と、少なくとも一つの波長変換素子とを備え、前記レーザー光源が発生した光の波長を前記波長変換素子により変換してコヒーレント光を出力する光源装置において、前記波長変換素子のうち少なくとも一つを、周期的分極反転構造が形成されたフッ化ストロンチウムアルミニウム(SrAlF5)単結晶からなる波長変換素子とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
少なくとも一つのレーザー光源と、少なくとも一つの波長変換素子とを備え、前記レーザー光源が発生した光の波長を前記波長変換素子により変換して出力する光源装置であって、前記波長変換素子のうち少なくとも一つが、周期的分極反転構造が形成されたフッ化ストロンチウムアルミニウム(SrAlF5)単結晶からなる波長変換素子である、コヒーレント光を出力する光源装置。
IPC (1):
G02F1/37
FI (1):
G02F1/37
F-Term (8):
2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA22 ,  2K002DA01 ,  2K002EA30 ,  2K002FA27 ,  2K002HA19 ,  2K002HA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

Return to Previous Page