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J-GLOBAL ID：200903004471755126

真空中基板検査装置

Inventor： 芹澤 正芳 ,  野口 稔 ,  盛山 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996172034
Publication number (International publication number)：1998019790
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】真空中の連続プロセス各処理工程の基板を検査して、各処理工程を管理し装置のモニタリングを行い、異物の発生をいち早く検知し対策を施し、製品の歩留まりを向上する。【解決手段】真空中プロセス処理後の半導体基板を真空中で検査する際、基板受渡し導入ポートを設けた真空チャンバ3の上面に、照明系と、検出系と、基板のΘ合わせの回転検出系と、着脱可能な検査ユニットとを装備し、検査ユニットには照明系からのレーザの導入用の窓を設け、検査ユニットの真空側に照明系の反射ミラーにより照明し、基板表面上で反射した異物からの散乱光を検出系の検出レンズで受光し、自動焦点機構部と、これに同期させて基板及び検査ユニットを上下移動させる高さ位置決め部とを設けた。

Claim (excerpt)：

真空中プロセス処理後の半導体基板等を真空中で検査する検査装置において、基板受渡し導入ポートを設けた真空チャンバの上面に、照明系と、検出系と、基板のΘ合わせの回転検出系と、基板の位置確認用の観察-アライメント光学系とから成る着脱可能な検査ユニットを装備し、上記検査ユニットには上記照明系からのレーザをチャンバ内部へ導入用の窓を設け、上記基板の表面上で反射した異物からの散乱光を検出系の検出器で受光し、常に上記基板の高さ位置を検知する自動焦点機構部と、上記自動焦点機構部に同期させて上記基板及び上記検査ユニットを上下移動させる高さ位置決め部とから構成したことを特徴とする真空中基板検査装置。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/68

FI (3)：

G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/68 K