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J-GLOBAL ID：200903004481702853

水素分離膜の製造方法

Inventor： 羽藤 一仁 ,  安本 栄一 ,  蒲生 孝治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995180165
Publication number (International publication number)：1997029079
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】安価で信頼性の高いパラジウム系水素分離膜の製造方法の提供。【構成】多孔質チュ-ブ1の表面に無電解メッキによりパラジウムなどを被覆して水素分離膜3、3’、3’’、3’’’を製造する際、減圧下で前処理またはメッキを行う。あるいは、メッキ液、還元剤を多孔質チュ-ブ1の内側と外側に分離して配し、選択的に微細孔をパラジウムなどの金属または合金によって充填する。このようにして製造された水素分離膜を用いて、図1のような装置をつくり水素を分離する。4は高圧部用ステンレスチュ-ブ、5は高圧部、6は低圧部、7は原料ガス導入部、8はヒ-タ-、9は精製ガス導出部、10はドレイン、11は空冷部および凝縮水蒸気のリザ-バ-である。

Claim (excerpt)：

少なくとも水素を含む原料ガスを供給する高圧側と、精製された水素ガスを含むガスが得られる低圧側とを、水素分離膜によって隔離し、前記水素分離膜を介して高圧側から低圧側に水素を分離精製する水素分離方法に利用される水素分離膜の製造方法において、多孔質金属または多孔質セラミクスまたは多孔質ガラス基体の少なくともいずれか一方の表面を無電解メッキにより少なくともパラジウムを含む金属または合金で被覆する際、前記無電解メッキの前処理として行う感受性化処理または活性化処理の工程のうち、少なくともいずれかの工程を減圧下で行うことを特徴とする水素分離膜の製造方法。

IPC (3)：

B01D 71/02 500 ,  C01B 3/50 ,  C23C 18/18

FI (3)：

B01D 71/02 500 ,  C01B 3/50 ,  C23C 18/18