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J-GLOBAL ID：200903004490427113
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992107271
Publication number (International publication number)：1993121568
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、微細な段差の上でも平坦で信頼性のある絶縁膜によって被覆できる製造方法を提供する。【構成】 シラン系ガスと水を原料ガスとしてCVD法によりシリコン酸化膜を形成する。また、この原料ガスに有機シランガス、あるいは、PH3 ,B2 H6 ,AsH3 等の流動性不純物を添加して平坦なシリコン酸化膜を形成する。また、このシラン系ガス、有機シランガス、水の少なくとも1つをプラズマ、光等によって連続的またはパルス的に励起して活性化し緻密で被覆性の良好なシリコン酸化膜を形成する。
Claim (excerpt)：
シラン系ガスと水を原料ガスとしてCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
Cited by examiner (8)
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