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J-GLOBAL ID：200903004502964853
多結晶ダイヤモンド半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017521
Publication number (International publication number)：1993218458
Application date： Feb. 03, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 整流特性などの半導体としての特性に優れたダイヤモンド半導体素子を提供すること。【構成】 基材1上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜2の面粗度Raを0.05μm以下にした表面3に、電極4,5を接合したこと。
Claim (excerpt)：
基材上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜の、その面粗度Raを0.05μm以下にした表面の一部または全面に、電極を接合してなることを特徴とする多結晶ダイヤモンド半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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