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J-GLOBAL ID：200903004506840784

シリコン単結晶及びその製造方法

Inventor： 池田 直紀
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093299
Publication number (International publication number)：1996290995
Application date： Apr. 19, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【構成】 溶融液層6aと固体層6bの2層からなる原料中から引き上げられたシリコン単結晶3であって、酸素を5.0×1017〜1.3×1018atoms/cm3 の割合で、かつ炭素を4.8×1015〜8.5×1016atoms/cm3 の割合で含んでいるシリコン単結晶3。【効果】 完全性の高いDZ層を有すると共に、高いIG能力を有するシリコン基板を製造することができる。

Claim (excerpt)：

溶融液層と固体層の2層からなる原料中から引き上げられたシリコン単結晶であって、酸素を5.0×1017〜1.3×1018atoms/cm3 の割合で、かつ炭素を4.8×1015〜8.5×1016atoms/cm3 の割合で含んでいることを特徴とするシリコン単結晶。

IPC (5)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/208

FI (5)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/208 P