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J-GLOBAL ID：200903004507838562

半導体装置

Inventor： 立川 昭義
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994064938
Publication number (International publication number)：1995273296
Application date： Apr. 01, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 製造工程を簡略化することが可能となるFETと抵抗素子を同一基板上に形成した半導体装置を提供すること。【構成】 シリコン基板1上に、不純物がドープされていない半絶縁性の第1化合物半導体2と、不純物がドープされた第2化合物半導体層2,3が積層され、該第2化合物半導体層上にソース電極25、ドレイン電極26およびゲート電極27が設けられた電界効果トランジスタ11と、前記第2化合物半導体層を除去し、前記第1化合物半導体層を任意の幅と長さに形成し、その両端に電極28,29を設けた抵抗素子12と、よりなることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、不純物がドープされていない半絶縁性の第1の化合物半導体層と、不純物がドープされた第2の化合物半導体層が積層され、該第2の化合物半導体層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極が設けられた電界効果トランジスタと、前記第2の化合物半導体層を除去し、前記第1の化合物半導体層を任意の幅と長さに形成し、その両端に電極を設けた抵抗素子と、前記電界効果トランジスタと前記抵抗素子とを分離する素子分離領域と、前記電界効果トランジスタと前記抵抗素子を接続するための配線層と、よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/095 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/04 R