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J-GLOBAL ID：200903004509736414

半導体装置の製造方法

Inventor： 橋本 泰典
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996337617
Publication number (International publication number)：1998163190
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フィールド酸化膜の膜厚減少を抑えながら、バーズビークを縮小させる。【解決手段】 バーズビーク12をもつフィールド酸化膜10を形成し、耐酸化性マスクのシリコン窒化膜6を除去した後、バーズビーク12の部分に選択的に電子ビーム14を照射する。その後、パッド酸化膜4、フィールド酸化膜10及びバーズビーク12をフッ酸をエッチング液として同時にウエットエッチングし、バーズビーク12を縮小させる。

Claim (excerpt)：

以下の工程(A)から(C)を含んで素子分離領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A)半導体基板上に選択酸化法によりフィールド酸化膜を形成する工程、(B)前記耐酸化性マスクをエッチング除去した後、フィールド酸化膜のバーズビーク領域に選択的にエネルギー線を照射する工程、(C)バーズビークが縮小する程度に、前記パッド酸化膜、フィールド酸化膜及びバーズビークをフッ酸系のエッチング液で同時にエッチングする工程。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/76

FI (3)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/263 E ,  H01L 21/76 M