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J-GLOBAL ID：200903004516927241

トランジスタ構造受光素子

Inventor： 上綱 秀樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994165027
Publication number (International publication number)：1996032098
Application date： Jul. 18, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】光検出出力信号を増大し、トランジスタ構造受光素子の検出光波長領域の拡大、ならびに、高性能化に寄与できるトランジスタ構造受光素子を提供すること。【構成】上記目的は、ベースまたはコレクタ層の少なくとも一部を所定の波長以下の光を吸収できる物質で形成したバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ〜ベース電極間間隔を広げ、ベース層に光が直接入射できるようにしたことを特徴とするトランジスタ構造受光素子することによって達成することができる。

Claim 1：

ベース層またはコレクタ層の少なくとも一部を所定の波長以下の光を吸収できる物質で形成したバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層〜ベース電極間間隔を広げ、ベース層に光が直接入射できるようにしたことを特徴とするトランジスタ構造受光素子。