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J-GLOBAL ID：200903004517490181

角度依存選択性を用いる「スピントランスファ型」MRAM

Inventor： マンコフ、フレデリック ビー. ,  エンゲル、ブラッドレー エヌ. ,  リゾ、ニコラス ディ.
Applicant, Patent owner： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007537901
Publication number (International publication number)：2008518439
Application date： Sep. 27, 2005
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)装置(200)は、スピントランスファ反射モード手法を用いて選択的に書込が行われる。MRAMアレイにおいて指定されたMRAMセルの選択性は、スピントランスファ切替電流の、MRAMセルの偏極素子(204)の磁化と自由磁気素子(208)の磁化間の相対角度への依存により達成される。偏極素子は、電流、たとえば、ディジット線電流(226)の印加に応じて変更可能な変動磁化を有する。偏極素子の磁化が自然なデフォルト方位の場合、MRAMセル内のデータが保持される。偏極素子の磁化が切り替えられる場合、比較的低い書込電流(224)に応じてMRAMセル内のデータを書き込むことができる。

Claim (excerpt)：

磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)装置であって、 第1の変動磁化を有する磁気偏極子と、 第2の変動磁化を有する自由磁気素子と、 前記磁気偏極子と前記自由磁気素子との間の伝導性スペーサ素子と、 を備えるMRAM装置。

IPC (5)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 110

F-Term (30)：

4M119AA01 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD25 ,  4M119EE03 ,  4M119EE23 ,  4M119EE28 ,  5F092AA04 ,  5F092AA12 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB55 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気記憶素子及びこれを用いた磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-078448   Applicant：ソニー株式会社