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J-GLOBAL ID：200903004531794045

不揮発性メモリ半導体装置の製造方法

Inventor： 山崎 武
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994094221
Publication number (International publication number)：1995302852
Application date： May. 06, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低コスト・短時間内で製造でき、絶縁膜の膜質の劣化を防止して信頼性を向上させた不揮発性メモリ半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@ゲート絶縁膜と、ソース/ドレイン領域を有する構造の半導体素子を備えた不揮発性メモリ半導体装置の製造の際、ソース/ドレイン領域形成部の不純物の導入を、ゲート絶縁膜5のアモルファス化を防ぐ条件で行う。?Aフローティングゲートとなるゲート材6の上から不純物を導入する。?B半導体素子と周辺回路のソース/ドレイン領域のそれぞれの形成を、スタックゲートのフローティングゲート部分の段差から生じるイオン注入におけるプロジェクションレンジの違いを利用して、同じレジストマスクによって各々に不純物を導入する。

Claim (excerpt)：

少なくともゲート絶縁膜と、ソース/ドレイン領域を有する構造の半導体素子を備えた不揮発性メモリ半導体装置の製造方法において、ソース/ドレイン領域形成部に不純物を導入する際、ゲート絶縁膜のアモルファス化を防ぐ条件で不純物の導入を行うことを特徴とする不揮発性メモリ半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434