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J-GLOBAL ID:200903004537486563

自己放電電極方式によるイオン注入法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 原崎 正
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002247567
Publication number (International publication number):2004087842
Application date: Aug. 27, 2002
Publication date: Mar. 18, 2004
Summary:
【課題】直流電圧にパルス電圧を重ねるようにすることにより、電極アンテナを使用することなく被処理基材の表面にイオン注入を行うことができるようにして、電極アンテナの使用による欠点を回避すると共に電極アンテナを使用しないことに伴う処理速度の低下を防ぎ、また、密着性に優れた膜を被処理基材の表面に均一に形成することにある。【解決手段】減圧状態のプラズマ発生用原料ガス雰囲気中に、導電性の被処理基材2を設置し、当該被処理基材2に放電を生じない電圧の範囲内で接地電位に対して負の直流電圧を印加して被処理基材の周囲にプラズマを発生させると共に、上記直流電圧に重ねて上記被処理基材に接地電位に対し負の高電圧パルスを印加し、プラズマ雰囲気中のイオンを被処理基材2の表面に均一に注入させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
減圧状態のプラズマ発生用原料ガス雰囲気中に、導電性の被処理基材を設置し、当該被処理基材に放電を生じない電圧の範囲内で接地電位に対して負の直流電圧を印加して被処理基材の周囲にプラズマを発生させると共に、上記直流電圧に重ねて上記被処理基材に接地電位に対し負の高電圧パルスを印加し、プラズマ雰囲気中のイオンを被処理基材の表面に均一に注入させることを特徴とする自己放電電極方式によるイオン注入法。
IPC (4):
H01L21/265 ,  C23C14/06 ,  C23C14/48 ,  H01J37/32
FI (4):
H01L21/265 F ,  C23C14/06 F ,  C23C14/48 A ,  H01J37/32
F-Term (9):
4K029AA06 ,  4K029AA21 ,  4K029AA26 ,  4K029BA34 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029CA10 ,  4K029DE03 ,  4K029DE04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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