カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小山有 , 片岡修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006145600
Publication number (International publication number)：2007317868
Application date： May. 25, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】デッドスペースが少なく発電効率に優れたカルコパイライト型の太陽電池を提供する。【解決手段】カルコパイライト型太陽電池は、基板1の上部に形成された下部電極層(Mo電極層)2と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層(CIGS光吸収層)3と、光吸収層薄膜の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極薄膜(TCO)5とから1つの単位セルが形成され、さらに、単位セルを接続する目的で、上部電極と下部電極とを接続するコンタクト電極の一部が、後述する素子分離のスクライブ(第3のスクライブ)で形成された分割線と隣接するように形成される。【選択図】図5

Claim 1：

基板と、前記基板の上部に形成された導電層を分割してなる複数の下部電極と、前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたカルコパイライト型の光吸収層と、隣接する前記下部電極の間から離間した一方の下部電極上に形成され且つ前記光吸収層の一部を改質することで当該光吸収層よりも導電性が高くなったコンタクト電極と、前記コンタクト電極に隣接する箇所で複数に分割された透明な導電層である上部電極とを有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (16)：

5F051AA10 , 5F051CB15 , 5F051CB24 , 5F051DA03 , 5F051EA03 , 5F051EA09 , 5F051EA10 , 5F051EA11 , 5F051EA16 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA12 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051FA24 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

メカニカルスクライブ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-319028 Applicant：本田技研工業株式会社
薄膜太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-118718 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

特開平4-094174
薄膜太陽電池用の統合集積化レーザ構造化方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-504856 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平4-094174

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