半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993219376
Publication number (International publication number)：1995074423
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体レーザ装置の波長および出力の長期的な経時変化を補償して動作の安定化を図る。【構成】発振波長を中心に設定した負のスペクトル透過特性を有し部分光信号の供給を受ける波長フィルタ22と、波長フィルタ22の透過光信号を検出し透過光検出信号を生成する光検出器23と、上記透過光検出信号の供給に応答して温度調整素子19に対する温度制御信号を生成する温度制御回路24とを備える。

Claim (excerpt)：

予め定めた波長の光信号を供給する半導体レーザ素子と、前記光信号の供給を受けこの光信号を所定の変調信号に応答して変調する外部変調回路と、前記半導体レーザ素子の後方出力光を検出し光検出信号を生成する第1の光検出器と、前記光検出信号に応答して前記半導レーザ素子の駆動電流を制御し前記光信号の出力を安定化する光出力安定化回路と、前記半導体レーザ素子と熱的に結合し前記半導体素子の温度を調整する温度調整素子とを備える半導体レーザ装置において、予め前記波長の近傍に定めたスペクトル透過特性を有し前記光信号の一部である部分光信号の供給を受ける光学フィルタと、前記光学フィルタの透過光信号を検出し透過光検出信号を生成する第2の光検出器と、前記透過光検出信号の供給に応答して前記温度調整素子に対する温度制御信号を生成する温度制御回路とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-244184
特開昭56-055087
特開平1-233382

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