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J-GLOBAL ID:200903004549249630

薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 加藤 卓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992000429
Publication number (International publication number):1993182134
Application date: Jan. 07, 1992
Publication date: Jul. 23, 1993
Summary:
【要約】【目的】 基板上に層間絶縁層を介して下部磁性層、導電層、及び上部磁性層をそれぞれ所要のパターン形状に形成して薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、層間絶縁層をより薄くし、しかも導電層間および導電層、磁性層間のショートを防止する。【構成】 導電層4上に形成した層間絶縁層5を平坦な樹脂被膜21の形成と例えばリアクティブイオンエッチングによるエッチバック法で平坦化する工程を有し、その際に層間絶縁層5の直下の導電層4が露出する位置Aまで平坦化を行ない、平坦化後に層間絶縁層5および導電層4上に層間絶縁層5’を所定の厚さで形成する。層間絶縁層5’の厚さは導電層4の露出位置を基準として正確に把握し、管理できる。また層間絶縁層5’は平坦化した下地の上に形成するので均一な厚さに形成できる。
Claim (excerpt):
基板上に層間絶縁層を介して下部磁性層、導電層、及び上部磁性層をそれぞれ所要のパターン形状に形成して薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導電層上の層間絶縁層をエッチバック法により平坦化する工程を有し、該工程において平坦化する層間絶縁層の直下の導電層が露出するまで平坦化を行ない、該平坦化後、平坦化した層間絶縁層および導電層上に層間絶縁層を所定の厚さで形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2):
G11B 5/31 ,  G11B 5/127
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平1-104210

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