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J-GLOBAL ID：200903004555868597

薄膜形成装置

Inventor： 岡 哲雄 ,  宮本 昌祐
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993345145
Publication number (International publication number)：1995176526
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜厚が均一で加工性に優れた高品質のシリコンウエハ等の塗膜形成基板を製造することのできる薄膜形成装置を提供する。【構成】 被塗膜基板Aの載置台15を有する反応容器10と、この反応容器10内部の気体を排気して所定の真空度にする排気手段20と、前記反応容器10内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段30と、前記反応容器内部に原料ガスである触媒およびモノマーを供給する原料ガス供給手段40と、前記被塗膜基板Aを所定の温度に制御する基板温度制御手段50と、前記反応容器10を所定の温度に制御する反応容器温度制御手段60と、前記排気手段20、不活性ガス供給手段30、原料ガス供給手段40をそれぞれ制御する制御手段とによって構成されている。前記載置台15は、反応容器10の下部に設置されており、その周囲には、上部に原料ガス供給用の微細孔16aを備えた原料ガス供給ノズル16が設けられている。

Claim (excerpt)：

(a)被塗膜基板の載置台を有する反応容器と、(b)前記反応容器内部の気体を排気して所定の真空度にする排気手段と、(c)前記反応容器内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、(d)前記反応容器内部に原料ガスである触媒及びモノマーを供給する原料ガス供給手段と、(e)前記基板を所定の温度に制御する温度制御手段と、(f)前記排気手段によって反応容器内部の気体を排気して所定の真空度に調整した後、前記原料ガス供給手段によって触媒とモノマーを順次あるいは同時に反応容器内に供給し、最後に前記不活性ガス供給手段によって反応容器内に不活性ガスを供給するように前記排気手段、原料ガス供給手段及び不活性ガス供給手段をそれぞれ制御する制御手段とを備えている薄膜形成装置において、前記反応容器内への原料ガス供給口を、反応容器の下部に設けたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/312