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J-GLOBAL ID：200903004557887181
発光ダイオード素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菊地 精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181053
Publication number (International publication number)：1997008349
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 電圧特性や電流特性を損なうことなく発光出力の取り出し効率を最大限に上げること。【構成】 p型とn型の半導体を接合した発光ダイオード素子であって、四角形の素子の四辺の長さの平均値をLとしたとき、素子の厚さDがD≧L/3であり、且つ表面電極と裏面電極が垂直方向で50%以上重なるように配置した構成からなる。
Claim (excerpt)：
p型半導体とn型半導体を接合し、表面及び裏面に部分的にオーミック電極を有する発光ダイオード素子において、四角形に基板から切り出された素子の四辺の長さの平均値をLとしたときに、素子の厚さDがD≧L/3の条件を満たし、且つ表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の50%以上が裏面電極と重なるように表面電極と裏面電極を配置してなる発光ダイオード素子。
FI (2)：
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 E
