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J-GLOBAL ID：200903004559654923
IGBTのゲートドライブ回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安形 雄三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232173
Publication number (International publication number)：1993056553
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 インバータ装置において、半導体素子(IGBT)のチップの温度を直接的に、かつリアルタイムで検出し、どのような負荷状況においても過熱から保護するIGBTのゲートドライブ回路を提供することである。【構成】 IGBTのゲート・エミッタ端子間に高周波の交流電圧を印加し、この交流電圧によってIGBTのゲート端子に流れる電流に基づいて動作中のIGBTの静電容量を計測することができる。この静電容量は温度に対して相関関係を持っているため、静電容量を検出することによって等価的にIGBTのチップの温度を計測することができる。
Claim (excerpt)：
ON/OFFを指令する入力信号に応じてIGBTのゲート端子に電圧を印加することによって前記IGBTをON/OFFさせるIGBTのゲートドライブ回路において、前記IGBTのゲート・エミッタ端子間に所定の交流電圧を印加する信号発生部と、前記交流電圧によって前記IGBTのゲート端子に流れる電流に基づいて前記ゲート・エミッタ端子間の静電容量を検知する検知手段と、前記静電容量が所定値を超えて変化した場合に異常状態として外部に出力する異常信号出力部とを備えたことを特徴とするIGBTのゲートドライブ回路。
IPC (5)：
H02H 5/04
, H02H 7/122
, H02M 1/00
, H02M 7/48
, H02M 7/537
