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J-GLOBAL ID：200903004560582995

ハーフブリッジ形DC/DCコンバータ

Inventor： 谷津 誠
Applicant, Patent owner： 富士電機機器制御株式会社
Agent (3)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003071661
Publication number (International publication number)：2004282917
Application date： Mar. 17, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】入力直流電圧が大きく変動しても、出力直流電圧をほぼ一定に制御できる機能を持つDC/DCコンバータを提供可能とする。【解決手段】トランス7の一次側にはハーフブリッジ形変換回路2を、トランス7の二次側には整流回路8と平滑回路(9,10)を接続して構成されるDC/DCコンバータにおいて、1つのコンデンサと2つのダイオードからなるスナバ回路31,41を設け、半導体素子3,4ごとに個別の充電経路と放電回路を形成できるようにし、ターンオンはZCSのソフトスイッチング、ターンオフは準ソフトスイッチングとなるようにしてスイッチング損失を低減する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

トランスの一次側には、入力直流電源に対しコンデンサブリッジと半導体素子ブリッジとを接続したハーフブリッジ形変換回路を設け、トランスの二次側には、整流回路と平滑回路とを設けて整流・平滑した直流出力電圧を得るハーフブリッジ形DC/DCコンバータにおいて、 前記各半導体素子に対してコンデンサと2つのダイオードとからなるスナバ回路を個別に設け、各半導体素子に対して一方のスナバ回路のコンデンサが充電経路を形成するときは、他方のスナバ回路のコンデンサは放電経路を形成するように構成し、かつ、いずれの充電経路も前記コンデンサブリッジの交流出力点を介して形成し、いずれの放電経路も前記半導体素子を介して形成することを特徴とするハーフブリッジ形DC/DCコンバータ。

IPC (1)：

H02M3/28

FI (1)：

H02M3/28 R

F-Term (7)：

5H730AA14 ,  5H730AA20 ,  5H730BB26 ,  5H730DD04 ,  5H730DD16 ,  5H730DD42 ,  5H730EE03