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J-GLOBAL ID：200903004561842516

半導体装置

Inventor： 田中 長孝 ,  山下 浩史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993327318
Publication number (International publication number)：1995183301
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、ラインの幅よりもライン間の距離の小さな微細なラインアンドスペースのパターンを有するものにおいて、ラインの終端においてパターンの中心部よりも隣合うライン間の距離を広くして構成した半導体装置である。【効果】 本発明によれば、リソグラフィー工程で起こる光強度分布によるラインの終端付近でのライン間の短絡を防止することができる。

Claim (excerpt)：

ラインの幅よりもライン間の距離の小さなラインアンドスペースパターンを有する半導体装置において、前記ラインの終端においては、前記ラインアンドスペースパターンの中心部に比べ、隣接するライン間の距離を広げたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339

FI (5)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/10 325 N ,  H01L 29/76 301 A