表面処理後にタングステンを堆積して膜特性を改善するための方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003514605
Publication number (International publication number)：2004536225
Application date： Jul. 16, 2002
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

基板上に耐火金属層を形成する方法及びシステムには、タングステン層を形成するために、PH3又はB2H6のような還元剤の導入、続いてWF6のようなタングステン含有化合物の導入が含まれる。還元剤はタングステン層のステップカバレージと抵抗率を改善しつつタングステン層のフッ素含有量を減少させると考えられる。タングステン膜の改善された特性は、還元剤とタングステン含有化合物間の化学親和性によると考えられる。化学親和性によって、タングステン層の核形成段階での吸着された化学種の表面移動度が良好になるとともにWF6の還元が良好になる。本方法は、タングステン層を堆積するためにPH3又はB2H6のような還元剤とタングステン含有化合物を連続導入するステップを更に含むことができる。形成されたタングステン層は核形成層として用いられ、続いて標準CVD法を用いてタングステン層をバルク堆積させることができる。または、形成されたタングステン層はアパーチャを充填するために用いることができる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

処理チャンバ内で基板上にタングステン核形成層を連続堆積させる方法であって、 PH3とB2H6を含む群より選ばれた還元剤を導入するステップと、タングステン含有化合物を導入するステップとを含む、前記方法。

IPC (3)：

C23C16/14 , H01L21/28 , H01L21/285

FI (4)：

C23C16/14 , H01L21/28 A , H01L21/28 301R , H01L21/285 C

F-Term (11)：

4K030AA02 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA20 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104DD22 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF13 , 4M104HH13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高融点金属膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-263805 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-035742 Applicant：ソニー株式会社
金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237054 Applicant：株式会社東芝

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