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J-GLOBAL ID：200903004572852980

半導体光結合回路及びその製造方法

Inventor： 吉本 直人 ,  川口 悦弘 ,  奥 哲 ,  東盛 裕一 ,  近藤 進 ,  野口 悦男 ,  赤淵 忠之
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997322666
Publication number (International publication number)：1999087844
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 大きなサイドエッチングによる光結合面の窪み或いは突起状の形状による光学的、形状的な問題を解決するにある。【解決手段】 InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶54から構成され、少なくとも一つのコア層58を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶から構成され、少なくとも一つのコア層を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする半導体光結合回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体光導波路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217986   Applicant：日本電信電話株式会社
• セグメント化単結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-007521   Applicant：アルカテル・エヌ・ブイ
• 化合物半導体のエッチング方法、半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028187   Applicant：松下電器産業株式会社
• 集積化半導体光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-297242   Applicant：沖電気工業株式会社
• 光集積回路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-049503   Applicant：富士通株式会社
• 発光素子モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-316834   Applicant：住友電気工業株式会社