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J-GLOBAL ID：200903004574941009

多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法

Inventor：
秋永 広幸

About 秋永 広幸

, 
サン ツィガング

About サン ツィガング


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (3)： 清水 初志 ,  橋本 一憲 ,  刑部 俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004075583
Publication number (International publication number)：2005268357
Application date： Mar. 17, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】量子細線とみなしうる程度に高い空隙率のシリコン表層部を有するシリコン基板を、脱フッ化水素プロセスにより製造する方法の提供。【解決手段】シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程、該被膜を被着したシリコン基板を少なくとも塩酸と硝酸を含む処理液に浸漬し金属被膜が被着された表面をエッチングする工程、所定時間後に該シリコン基板を該処理液から回収する工程、微細溝が略均一に分布する領域を残して残部を切除する工程を少なくとも含むことを特徴とする、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法およびその製法によって製造された高空隙率表層部を有するシリコン基板。【選択図】図1
Claim 1：
シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程、該被膜を被着したシリコン基板を少なくとも塩酸と硝酸を含む処理液に浸漬し金属被膜が被着された表面をエッチングする工程、所定時間後に該シリコン基板を該処理液から回収する工程、微細溝が略均一に分布する領域を残して残部を切除する工程を少なくとも含むことを特徴とする、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法。
IPC (1)：
H01L21/306
FI (1)：
H01L21/306 B
F-Term (5)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (3)

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