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J-GLOBAL ID：200903004583555782

青色発光素子

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114543
Publication number (International publication number)：1994260682
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる実用的でしかも新規な構造を提供する。【構成】 第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてSi濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する青色発光素子。

Claim (excerpt)：

第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてSi濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。