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J-GLOBAL ID：200903004586260627

電界効果トランジスタ

Inventor： ルイケン,リヒャルト ヨハネス ,  シュレッサー,ティル ,  ハネダー,トーマス ペーター ,  ヘンライン,ヴォルフガング ,  クロイプル,フランツ
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (4)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002507461
Publication number (International publication number)：2004503097
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

電界効果トランジスタは、ソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成するナノワイヤーを備えている。ゲート領域を形成するナノチューブは、第1ナノチューブから少し離れて配置されている。または、上記ゲート領域を形成するナノチューブは、ナノチューブ間のトンネル電流をほぼ無くすことができるように、かつ、電圧を第2ナノチューブに印加することによって、電界効果を用いて第1ナノチューブのチャネル領域の導電率を制御できるように配置されている。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタのソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成し、半導性、および/または、金属的に導電性であるナノワイヤーと、 電界効果トランジスタのゲート領域を形成し、半導性、および/または、金属的に導電性である少なくとも1つのナノチューブとを備え、 上記ナノワイヤーおよび上記ナノチューブは、ナノワイヤーとナノチューブとの間のトンネル電流をほぼ無くすことができ、かつ、電圧をナノチューブに印加することによって生ずる電界効果を用いて、ナノワイヤーのチャネル領域の導電率を制御できるように、互いに距離を保って配置されているか、または調整されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N

F-Term (22)：

5F110AA01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE21 ,  5F110EE28 ,  5F110EE29 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG21 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ナノ構造デバイス及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-601693   Applicant：クラウソンジョセフイージュニア