Pat

J-GLOBAL ID：200903004598874132

半導体加速度センサおよびその製造方法

Inventor： 滝沢 功 ,  橋本 廣和
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993086763
Publication number (International publication number)：1994273440
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 出力温度依存性の低減,高感度化および歩留まり向上を可能とした半導体加速度センサを提供することを目標とする。【構成】 周辺に固定部11,中央に作用部12,これらの間に薄肉の可撓部13を有し、可撓部13表面にゲージ抵抗を形成した加速度センサチップ1を得る。一方、表面に中央の重錘体3となる部分と周辺の台座2となる部分を分離するための所定深さの第1の溝21が形成された補助基板20を用意し、これと加速度センサチップ1と接続して一体化する。そして補助基板20の裏面からレーザ光ビームを照射して、重錘体3の部分を取囲んで閉路をなしかつ第1の溝21に達するように第2の溝22を加工することにより、重錘体3の部分を台座2の部分から分離し、台座2は分割されることなく連続する一体物として残す。

Claim (excerpt)：

半導体基板が、周辺の固定部と,中央の加速度により力を受ける作用部と,これら固定部と作用部の間を接続する薄肉の可撓部とに加工されて、前記可撓部の表面にゲージ抵抗が形成された加速度センサチップと、この加速度センサチップの固定部底面に接続された台座と、前記加速度センサチップの作用部底面に接続された重錘体とを備え、前記台座と重錘体とは一枚の補助基板を加工分離したものであり、かつ前記台座は連続する一体物であることを特徴とする半導体加速度センサ。