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J-GLOBAL ID：200903004601952859

半導体導波路型受光素子

Inventor： 秦 進 ,  加藤 和利 ,  吉田 淳一 ,  幸前 篤郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991155431
Publication number (International publication number)：1995030141
Application date： May. 31, 1991
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結合効率を向上し、高速応答特性を有し、かつ高量子効率を同時に満足する光導波路を形成するコア層と受光素子の空乏層を個別に設定できる導波路型半導体受光素子を提供する。【構成】 コア層の一部を受光素子の空乏層として構成することにより、空乏層の厚さを変えることなく光導波路のコア層を厚く設定する。コア層は受光層と、受光層を挟んで積層した、屈折率が受光層よりも低くかつ光導波路のクラッド層より高い半導体層との3層から構成される。クラッド層はコア層を形成するいずれの層よりも低い屈折率を有する半導体層で構成される。受光素子としてのpn接合は、受光層である半導体層内部に形成される。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層と、第1の半導体層よりも低い屈折率を有する第2の半導体層、第2の半導体層よりも低い屈折率を有する第3の半導体層が当該第1の半導体層を挟んで順次半導体基板上に積層された、少なくとも5層からなる構造において、階段型pn接合が第1の半導体層内部に形成されており、さらに、p形導電性の第1の半導体層側に積層された第2、第3の半導体層がp形導電性に、また、n形導電性の第1の半導体層側に積層された第2、第3の半導体層がn形導電性にそれぞれなされており、さらに、n形導電性の第2、第3の半導体層のキャリア濃度がn形導電性の第1の半導体層のキャリア濃度よりも高く構成されていることを特徴とする半導体導波路型受光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-283080
  
• 特開昭63-224252