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J-GLOBAL ID：200903004604408149

半導体装置の製造方法

Inventor： 今井 敦志
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (6)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫 ,  田上 明夫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  中村 壽夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006145781
Publication number (International publication number)：2007317883
Application date： May. 25, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】ウエーハ内にライフタイムキラーとなる重金属を低濃度にかつ選択的に簡単に導入できるようにする。【解決手段】中心部に凹部21を有する重金属の板体20を載置するステージ10を用意し、該ステージ10の載置部に板体20を載置した後、この板体20にウエーハ薄板化工程を終えたウエーハ2を重ね合せる。そして、この状態で、板体20に設けた細孔23を通じてウエーハ2を吸引して、板体20の環状表面22とウエーハ2とを平面接触させる。この平面接触によりライフタイムキラーとしての重金属の微粒子がウエーハ2に選択的に付着し、その後、ステージ20から切離してウエーハ2を熱処理する。周辺部のライフタイムが中心部よりも長い傾向にあるウエーハを対象にした場合、ウエーハ2の周辺部に対する重金属導入によって、ウエーハ面内のライフタイムが均一化される。【選択図】図3

Claim 1：

ライフタイムキラーとしての重金属をウエーハに平面接触させて、該ウエーハの一面に重金属の微粒子を付着させる重金属付着工程と、前記重金属付着工程を終えたウエーハを加熱して、該ウエーハ内部に重金属を熱拡散させる熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739

FI (3)：

H01L29/78 658H ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 658A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特公平6-46633号公報
  
• 特開平3-204938号公報