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J-GLOBAL ID：200903004608248960

混成集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 大川 克実 ,  五十嵐 優助
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028315
Publication number (International publication number)：2003229531
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の熱膨張係数に近似した熱膨張係数の基板を有する混成集積回路装置を構成する。【解決手段】 セラミック基板11の側面および裏面を金属層12により覆う。セラミック基板11の表面には、導電パターン13が形成される。この導電パターンは、金属層12をエッチングすることにより、形成することができる。導電パターン13上には、半導体素子等の回路装置が実装される。なお、導電パターン13は、セラミック基板の両面に設けられても良い。

Claim (excerpt)：

セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に第1の導電パターンを形成する金属層と、前記導電パターン上に実装された回路素子とを有することを特徴とする混成集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 25/04 ,  H01L 23/36 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 23/36 C

F-Term (2)：

5F036AA01 ,  5F036BB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• バイアホールを有する回路基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291258   Applicant：同和鉱業株式会社
• セラミックス電子回路基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355211   Applicant：同和鉱業株式会社
• 金属-セラミックス複合基板製造用鋳型
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-137973   Applicant：同和鉱業株式会社
• Al-セラミックス複合基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-122156   Applicant：同和鉱業株式会社
• 金属ーセラミックス複合部材の製造方法、製造装置、及び製造用鋳型
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-032506   Applicant：同和鉱業株式会社