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J-GLOBAL ID：200903004616434684

埋込みプラグの形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137921
Publication number (International publication number)：1994349774
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールに対する埋込みプラグを高い信頼性をもって良好、確実に形成することができるようする。【構成】 絶縁層1に形成されたコンタクトホール2にオーミックコンタクト形成用金属層のTi層3と、TiN層4とを順次プラズマCVD法によって被着形成する工程と、その後、熱CVD法によって上記コンタクトホール2にTiN埋込み層5を埋込む工程とを採ってTiN/Ti埋込みプラグ6を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁層に形成されたコンタクトホールにオーミックコンタクト形成用金属層のTi層と、TiN層とを順次プラズマ化学的気相成長法によって被着形成する工程と、その後、熱化学的気相成長法によって上記コンタクトホールにTiN埋込み層を埋込む工程とをとることを特徴とする埋込みプラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90