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J-GLOBAL ID：200903004623351573

パワーモジュール

Inventor：
深田 雅一

About 深田 雅一

, 
中島 泰

About 中島 泰

, 
高梨 健

About 高梨 健


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058676
Publication number (International publication number)：2001250910
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電磁シールド効果に優れ、外部からのノイズに対して影響を受けにくく、かつ外部へのノイズ源ともなりにくいパワーモジュールを得る。【解決手段】 絶縁基板5は、支持板2に固定されたヒートシンク3の上面上に、半田4を介して接合されている。ヒートシンク3の底面上には、直流コンデンサ16が接着により固定されている。支持板2には、制御用IC13が搭載された制御基板11が固定されている。また、支持板2には、複数の電極10と、直流側電極兼冷媒入出口9と、制御用コネクタ15とが配設されている。ケース1は支持板2の周縁部に固定され、支持板2とともに絶縁基板5、制御基板11、ヒートシンク3、及び直流コンデンサ16の周囲を覆っている。ケース1及び支持板2はともに導電性を有している。
Claim (excerpt)：
パワー半導体素子が搭載された主面を有する絶縁基板と、前記パワー半導体素子を制御するための制御用ICが搭載された制御基板と、前記絶縁基板及び前記制御基板が固定された、導電性の支持板と、前記支持板の周縁部に固定され、前記支持板とともに前記絶縁基板及び前記制御基板の周囲を覆う導電性のケースとを備えるパワーモジュール。
IPC (11)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/00 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/06 ,  H01L 23/20 ,  H01L 23/22 ,  H01L 23/44 ,  H01L 23/473 ,  H05K 7/20 ,  H05K 9/00
FI (12)：
H01L 23/00 B ,  H01L 23/04 A ,  H01L 23/06 B ,  H01L 23/20 ,  H01L 23/22 ,  H01L 23/44 ,  H05K 7/20 L ,  H05K 7/20 M ,  H05K 7/20 P ,  H05K 9/00 C ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/46 Z
F-Term (21)：
5E321AA02 ,  5E321AA11 ,  5E321GG01 ,  5E321GG05 ,  5E321GH03 ,  5E321GH07 ,  5E322AA05 ,  5E322AB02 ,  5E322EA11 ,  5E322FA01 ,  5F036AA01 ,  5F036BA03 ,  5F036BA05 ,  5F036BA23 ,  5F036BA24 ,  5F036BB03 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BC22 ,  5F036BD01 ,  5F036BD11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-139340   Applicant：富士電機株式会社
  • トランジスタモジュール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-039649   Applicant：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-096428   Applicant：株式会社東芝
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