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J-GLOBAL ID：200903004626581863

配線の形成方法

Inventor： 水田 高之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001943
Publication number (International publication number)：1993206121
Application date： Jan. 09, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】絶縁性または半絶縁性基板上に、無電解メッキ法で配線を形成する場合に、サイドエッチによる配線細りや、配線形成部以外にメッキ層が形成されるのを防ぐ。【構成】メッキ用触媒を含むフォトレジストを塗布し、配線パターンを転写した後プラズマ灰化し、次いでスパッタエッチングで配線パターン部以外に残存する触媒層を除去し、熱処理で密着性を向上した後無電解メッキを行う工程をそなえる。メッキ後にエッチングを行なわないためサイドエッチを考える必要がなく、配線パターン部以外にメッキが成長する触媒層を除いていることから不要なメッキの成長を防ぐ。

Claim (excerpt)：

基板上に配線を形成するに当り、無電解メッキの触媒を含有するフォトレジストを塗布する工程と、必要とする配線パターンを転写する工程と、転写したパターンをプラズマ灰化する工程と、スパッタエッチングを行う工程と、無電解メッキを行う工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。